每年一度的「三星晶圓論壇」27日在加州聖荷西舉行，這裡距離三星在德州奧斯汀新廠預定地距離2300多公里，三星在論壇上大膽的揭露了最新先進製程1.4奈米，要搶先台積電在2027年量產，按照計畫，當時三星半導體將掌握全世界最先進的半導體製程。
今年全球半導體主要製造商台積電、三星、英特爾似乎都進入了2奈米製程量產與全球設廠大賽，英特爾順序宣布晶圓代工部門獨立、前進波蘭設封測廠、在德國設代工廠。台積電則計畫在日本設熊本2廠、德國新廠，三星也有設廠計畫。
全球半導體玩家，將進入2奈米製程大賽
值得一提的是，三星獲利衰退，但股價在今年以來漲了24％，過去一個月來小漲0.69％，29日股價來到72700韓元上下震盪，台積電今年以來則上漲了26％，29日股價在571元上下。
三星晶圓代工事業群在年度論壇上，喊出2025年前導入2奈米生產行動應用相關晶片，與台積電（2330）規劃2奈米量產時程相當，都計畫在2025年進入量產，並領先台積電要在2027年量產更先進的1.4奈米先進製程產品，值得一提的是，三星進入2奈米後導環繞閘極（GAA）對抗台積電的FinFET（鰭式場效應晶體管）技術。
在論壇上，三星公布了一張全球主要晶圓代工玩家美國英特爾、台積電、三星、日本Rapidus的先進製程設廠計畫，英特爾率先在明年導入18A（相當於1.8奈米製程）製程，三星和老對手台積電都在2025年導入2奈米製程量產，三星更是計畫在2027年讓1.4奈米量產。
三星計畫2027進入1奈米，要領先台積電
韓國媒體給三星很大的壓力，尤其是在高階製程上，韓國媒體報導三星的市占12％，台積電為60％，甚至有韓國媒體批「台積電超猛而韓國晶片企業開始停滯」，對此現象，韓國政府也祭出韓版晶片法，試圖獎勵韓國半導體業。
台積電目前已經公布的計畫，是2025年2奈米量產，根據業界消息，預計在新竹寶山晶圓20廠，值得一提的是，先前業界估計台積電在2奈米仍採用FinFET架構，但最後決定，2奈米將首度採用全新環繞閘極（GAA）電晶體架構。
根據外電《anandtech》報導，三星規劃2025年以2奈米製程（SF2）量產行動應用晶片，2026年擴及高速運算（HPC）應用，2027年再延伸至汽車應用。
三星也大舉投資新廠，和台積電將在GAA技術對決
三星的 SF2 將比3奈米製程增加25％ 的功效，提高12％的運作性能，面積還減少了 5％。 為了使其 SF2 技術更具競爭力，三星打算提供一系列先進的 IP 組合，以集成到芯片設計中，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes。
台積電和三星都面臨被邀請到美國設廠的壓力，三星一手投資美國，另一邊也大舉在本土興建大型代工廠，今年3月三星半導體發布20年內在龍仁市投資300萬億韓元構建世界最大規模的系統半導體集群的計劃，這個月27日與南韓政府壹起決定將集群工程時間從7年縮短到5年，縮短2年。
