三星電子的股價在19日反彈回56700韓圜上下，它的股價在7月還有8萬8千韓圜，今年以來已經下跌29.65％，因此，財信傳媒董事長謝金河在臉書上指，三星的市值約2400億美元。「很長的時間，三星和台積電平起平坐，如今市值剩下台積電的四分之一」。
起因是三星在晶圓代工輸給台積電、在AI晶片需要的寬頻記憶體HBM上輸給韓國自家人海力士，原因之一，是海力士和台積電聯手供貨給輝達，謝金河指出，今年海力士股價上漲32％，三星下跌逾三成。海力士市值133.15兆韓元，大大拉近和三星的差距。
三星市值剩台積電4分之1，連海力士都快超車了
事實上，今年10月，三星半導體部門（DS）負責人全永鉉（Young Hyun Jun）才在10月8日第三季財報公布後向外界道歉，「財報表現不如預期，引發市場對三星技術競爭力與未來發展的疑慮，更有人將此形容為三星面臨危機，對此，公司高層將承擔一切責任。」
韓國半導體設備與製程專家、首爾大學次世代智慧半導體部門名譽教授金亨俊對韓國媒體評論，三星半導體部門的核心—DRAM記憶體競爭力已經崩潰。」他還說「專家們認為，SK海力士在DRAM領域比三星領先1年到1年半。」
金亨俊表示「三星習慣了過去主導DRAM記憶體市場，對於轉向客製化的下一代半導體產業趨勢適應能力不足。」他強調「為了恢復競爭力，三星需要IC設計公司等各種業務夥伴建立有機合作關係，並與國內新創企業、半導體設備和材料企業共同打造一個健康的半導體生態系統。」他還補充道「有時需要採用‘乙方心態’，以謙卑的態度對待合作夥伴。」
輝達選擇了海力士加台積電，而非三星記憶體
他指出，在10奈米製程的DRAM半導體微細加工工藝上，三星從1A晶片工藝開始就落後於SK海力士，這是業界的共識。此外，SK海力士在11-12奈米製程DRAM微細加工工藝上的領先，直接導致了HBM3半導體的品質優勢。因此，三星的產品在輝達測試失敗的根本原因在於DRAM品質的下降。
HBM的性能直接影響到GPU的性能。SK海力士在HBM領域具有領先優勢，這得益於與台積電的緊密合作。
三星雖然也想要進入HBM市場，但是由於與台積電在代工領域存在競爭關係，很難獲得與SK海力士同等水準的技術支持和合作。HBM技術門檻較高，SK海力士和台積電的合作使得它們在這一領域形成了較高的技術壁壘，其他廠商難以輕易超越。
三星在HBM、代工、CMOS的落後，都同時放大
更糟的是，三星大量的仰賴中國半導體市場，三星出售給中國的二手半導體設備也獲利豐盈，但是川普上台後，對中國半導體的限制勢必擴大，將不利於三星在HBM上的出貨。
除了AI用的HBM記憶體，在其他產品上呢？ 金亨俊教授指出「NAND競爭力處於領先地位，但與競爭對手的差距並不大。2017年三星引以為傲的晶圓代工市佔率不斷流失，與台積電的差距進一步拉大。在CMOS影像感測器（CIS）的領先者是日本SONY，差距也正在擴大。」
三星在晶圓代工落後台積電，最有名的例子是高通的Snapdragon 8晶片，由三星代工的晶片產生過熱問題，但高通改由台積電代工後，解決了問題，從此，三星的訂單開始下滑，進入3奈米製程競賽，三星落後的問題反而更加嚴重。
在3奈米製程輸給台積電，其他產品還有中國來競爭
3奈米製程是三星和台積電的關鍵分水嶺，金亨俊教授指出，台積電挑戰了GAA工藝而採用FinFET，GAA雖然比FinFET技術更為領先，但一直無法生產出高品質的產品，沒有好的良率，成本就無法降低，而且，代工思維和記憶體思維是不同的。
然而在較低階的產品市場，謝金河表示，三星的手機，面板，LED都在中國殺戮下節節敗退，正如金亨俊教授道出三星管理當局、股東所憂慮的「總體而言，人們越來越擔心三星的產品競爭力可能會降至二流。」這種困境，甚至將危及到三星在全球擴廠的決策。
